CCSPG1060N TR PBFREE

Name: Central Semiconductor CCSPG1060N TR PBFREE
Brand: Central Semiconductor
SKU: 610-CCSPG1060NTRPBFR
Price: 5505 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

610-CCSPG1060NTRPBFR

Fabricante N.º:

CCSPG1060N TR PBFREE

Fabricante:

Central Semiconductor

Descripción:

GaN FETs 100V, 60A, N-Channel Chip Scale GaNFET

Hoja de datos:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Central Semiconductor
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	CSP-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	60 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 4 V, + 6 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	9.2 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.1 W
Marca:	Central Semiconductor
Configuración:	Single
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GaN N-Channel FETs

Central Semiconductor GaN N-Channel FETs excel in high voltage and low R_DS(ON), making them ideal for efficient soft-switching applications. Central Semiconductor GaN FETs come in 100V (60A), 150V (60A), 650V (11A), 650V (17A), and 700V (18A) versions. The devices are available in practical surface-mount, chip-scale packages, and bare dies. Ideally, these FETs are used in switch-mode power supplies, high-power chargers, and Electric Vehicle (EV) inverters.