BST91T1P4K01-VC

ROHM Semiconductor
755-BST91T1P4K01-VC
BST91T1P4K01-VC

Fabricante:

Descripción:
Módulos MOSFET 750V, 90A, 3-Phase-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Módulos MOSFET
SiC
HSDIP-20
N-Channel
6 Channel
750 V
90 A
19 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
- 40 C
+ 175 C
385 W
Bulk
Marca: ROHM Semiconductor
Tiempo de caída: 14.2 ns
Producto: Power Module
Tipo de producto: MOSFET Modules
Tiempo de subida: 39.3 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 60
Subcategoría: Discrete and Power Modules
Nombre comercial: EcoSiC
Tiempo de retardo de apagado típico: 213.2 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 49.3 ns
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Hoja de datos

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Códigos de cumplimiento
USHTS:
8541590080
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Tailandia
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

High-Density SiC Power Modules

ROHM Semiconductor High-Density Silicon Carbide (SiC) Power Modules are designed to support high-efficiency power conversion in automotive and industrial applications. The lineup includes several package platforms such as TRCDRIVE pack™, HSDIP20, and DOT-247, each optimized for different power classes and system requirements. These packages integrate SiC MOSFETs into compact module structures that enable high power density, stable switching performance, and efficient thermal management. Depending on the package, configurations such as 2-in-1, 4-in-1, and 6-in-1 are available, providing flexibility for a wide range of power conversion and motor drive applications.

En existencias: 60

Existencias:
60 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
27 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
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$122.837 $1.228.370

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