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BSM300C12P3E201

Name: ROHM Semiconductor BSM300C12P3E201
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSM300C12P3E201
Price: 615881 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-BSM300C12P3E201

Fabricante N.º:

BSM300C12P3E201

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Módulos MOSFET 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET

Hoja de datos:

BSM300C12P3E201 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$615.694	$7.388.328

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	Module
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	300 A
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 6 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5.6 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.36 kW
Empaquetado:	Bulk
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	40 ns
Altura:	15.4 mm
If - Corriente directa:	300 A
Longitud:	152 mm
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	35 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	4
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	SiC Power Module
Tiempo de retardo de apagado típico:	155 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	40 ns
Vf - Tensión directa:	1.6 V
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV
Ancho:	62 mm
Peso de la unidad:	615,801 g

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CNHTS:: 8504409190
USHTS:: 8541590080
ECCN:: EAR99

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.