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BSM180C12P2E202

Name: ROHM Semiconductor BSM180C12P2E202
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSM180C12P2E202
Price: 595921 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-BSM180C12P2E202

Fabricante N.º:

BSM180C12P2E202

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Módulos MOSFET 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02

Hoja de datos:

BSM180C12P2E202 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	Module
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	204 A
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 6 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.6 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.36 kW
Serie:	BSMx
Empaquetado:	Tray
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	32 ns
Altura:	15.4 mm
If - Corriente directa:	180 A
Longitud:	152 mm
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	36 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	4
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	SiC Power Module
Tiempo de retardo de apagado típico:	139 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	49 ns
Vf - Tensión directa:	1.6 V
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV
Ancho:	62 mm

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CNHTS:: 8504409190
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.