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BGA9H1MN9E6329XTSA1

Name: Infineon BGA9H1MN9E6329XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BGA9H1MN9E6329XT
Price: 739 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-BGA9H1MN9E6329XT

Fabricante N.º:

BGA9H1MN9E6329XTSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Amplificador de RF RF MMIC 3 TO 6 GHZ

Hoja de datos:

BGA9H1MN9E6329XTSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$739	$739
	$635	$6.350
	$599	$14.975
	$548	$54.800
	$511	$127.750
	$459	$229.500
	$416	$416.000
	$376	$1.504.000
	$310	$2.480.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 15000)
	$310	$4.650.000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Amplificador de RF
Frecuencia de trabajo:	1.4 GHz to 2.7 GHz
Voltaje de alimentación operativo:	1.8 V
Corriente de suministro operativa:	5.8 mA
Ganancia:	20.2 dB
NF - Figura de ruido:	11.5 dB
Tipo:	Low Noise Amplifiers
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSNP-9-2
Tecnología:	Si
P1dB: punto de compresión:	- 17 dBm
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Pérdida de retorno de entrada:	18 dB
Número de canales:	1 Channel
Dp - Disipación de potencia :	70 mW
Tipo de producto:	RF Amplifier
Cantidad de empaque de fábrica:	15000
Subcategoría:	Wireless & RF Integrated Circuits
Alias de las piezas n.º:	BGA 9H1MN9 E6329 SP005412991

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USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8542330000
ECCN:: 5A991.g

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Infineon Technologies 4G/5G Low Noise Amplifiers are designed for LTE and 5G, covering a wide frequency range. The 4G/5G Low Noise Amplifiers gain step features the gain and linearity that can adjust to increase the dynamic system range and accommodate changing interference scenarios.

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Infineon Technologies Low Noise Amplifier (LNA) ICs boost data rates and reception quality of wireless applications by utilizing a very low-power signal without significant signal-to-noise ratio degradation. The improved receiver sensitivity enhances user experiences and satisfies market requirements. These highly integrated, small-packaged devices come with ESD protection and low power consumption, which is ideal for battery-operated mobile devices. Users of 4G/5G, GPS, Mobile TV, Wi-Fi, and FM portable devices will enjoy high data-rate reception, fast/precise navigation, and smooth, high-quality streaming even in the worst reception conditions.