AT25PE80-SHN-B

Renesas / Dialog
988-AT25PE80-SHN-B
AT25PE80-SHN-B

Fabricante:

Descripción:
Memoria flash tipo NOR 8 Mbit, Wide Vcc (1.7V to 3.6V), -40C to 85C, SOIC-W 208mil (Tube), Single SPI DataFlash (Micron M25PE Replacement)

Hoja de datos:
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Precio ext.
$2.078 $2.078
$1.940 $19.400
$1.891 $47.275
$1.851 $92.550
$1.792 $161.280
$1.743 $470.610
$1.694 $914.760
$1.654 $1.786.320
$1.585 $3.994.200

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:
AT25PE80-SHN-T
Embalaje:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
$2.078
Mín.:
1

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Renesas Electronics
Categoría de producto: Memoria flash tipo NOR
RoHS:  
SMD/SMT
SOIC-Wide-8
AT25PE80
8 Mbit
1.7 V
3.6 V
16 mA
SPI
85 MHz
1 M x 8
8 bit
- 40 C
+ 85 C
Tube
Marca: Renesas / Dialog
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TW
Tipo de producto: NOR Flash
Velocidad: 85 MHz
Cantidad de empaque de fábrica: 90
Subcategoría: Memory & Data Storage
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

CNHTS:
8542329090
CAHTS:
8542320040
USHTS:
8542320051
TARIC:
8542326100
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

AT25PE80 Series Serial Flash Memory

Renesas / Dialog AT25PE80 Series 8-Mbit DataFlash-L Page Erase Serial Flash Memory is a 1.7V minimum, serial-interface sequential access flash memory. This AT25PE80 Series memory device features 8,650,752 bits of memory organized as 4,096 pages of 256 bytes or 264 bytes each. The AT25PE80 series operates from a single 1.7V to 3.6V power supply for the erase, program, and read operations. The AT25PE80 series flash memory contains two SRAM buffers of 256 or 264 bytes each in addition to the main memory. These SRAM buffers can be used as additional system scratchpad memory. The AT25PE80 series is ideally suited for a wide variety of digital voice, image, program code, and data storage applications.

25PE Dataflash-L Serial Flash Memory

Renesas / Dialog 25PE Dataflash-L Serial Flash Memories are low pin count, wide voltage range, ultra-low power, and page erase sequential access memories. These Adesto Technologies memory chips enable energy-efficient, lower-cost systems through advanced command-rich interface and granular architecture. The 25PE Dataflash-L memories reduce CPU/MCU overheads, reduce the power signature, and extend battery life. These flash memories support RapidS™ serial interface for applications requiring a high-speed operation. The 25PE flash memories use simple sequential access to simplify hardware layout, increase system reliability, minimize switching noise, and reduce package size. These memory chips are enabled through the Chip Select (CS) pin and are accessed via a 3-wire interface consisting of the Serial Input (SI), Serial Output (SO), and the Serial Clock (SCK).

DataFlash™ SPI Memory

Renesas / Dialog DataFlash™ SPI Memory devices are feature-rich, page-erase (as small as 256 bytes) SPI-compatible Serial Flash with advanced protection and security features. These devices provide developers with the most flexible, easy-to-use Serial Flash solution on the market to address virtually any application. Dual-I/O and Quad-I/O interface options provide the ability to double and quadruple read throughputs. The DataFlash SPI Memory devices provide system developers with an extremely flexible solution by utilizing a page-erase architecture to allow the smallest amount of data (as little as 256 bytes) to be erased compared to any other Flash solution.

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