Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 30V 6.4A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60V (D-S)
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SQ2361ES-T1_BE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQD10N30-330H_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQJQ142E-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V(D-S)175C MOSFET P-CHANNEL PowerPAK
SQS423ENW-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V(D-S)175C MOSFET P-CHANNEL PowerPAK
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 60V 9.1A
SUD23N06-31L-T4BE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 N-CH 40V 200A
SUM40014M-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 N-CH 40V 200A
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Circuitos integrados de interruptor analógico IMPROVED VERSION OF DG419DY
DG418BDY-T1-E3
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Circuitos integrados de interruptor analógico IMPROVED VERSION OF DG419DY
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V -8A 45W AEC-Q101 Qualified
SQJ465EP-T1_GE3
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N.º de artículo de Mouser 781-SQJ465EP-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V -8A 45W AEC-Q101 Qualified
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