NST807CMTWFTBG

onsemi
863-NST807CMTWFTBG
NST807CMTWFTBG

Fabricante:

Descripción:
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PNP, 45 V, 500 MA

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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Precio ext.:
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Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$532 $532
$325 $3.250
$207 $20.700
$156 $78.000
$140 $140.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
$117 $351.000

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
XDFNW-3
PNP
Single
1 A
45 V
45 V
5 V
700 mV
350 mW
360 MHz
- 65 C
+ 150 C
NST807
Reel
Cut Tape
Marca: onsemi
Corriente continua del colector: 500 mA
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: MY
Colector DC/Ganancia Base hfe Mínima: 250 at - 100 mA, - 1 V
Máx. ganancia de CC hFE: 600 at - 100 mA, - 1 V
Tipo de producto: BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
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Atributos seleccionados: 0

USHTS:
8541210075
TARIC:
8541210000
ECCN:
EAR99

NST807 General Purpose PNP Transistors

onsemi NST807 General Purpose PNP Transistors are designed for general-purpose switching and amplifier applications. The onsemi NST807 offers high performance and reliability, making it suitable for use in low-power circuits, signal processing, and general electronic applications. The transistor features a maximum collector-emitter voltage (VCE) of 40V and a maximum collector current (IC) of 3A, providing versatility for a range of designs. With its low saturation voltage and fast switching speeds, the NST807 is often chosen for high-efficiency circuits. Additionally, its compact DFN1010-3 package allows for space-efficient designs, making the NST807 an excellent choice for consumer electronics, automotive, and industrial applications. The device is engineered to deliver robust performance, with a well-defined characteristic curve that ensures stability and reliability in various environmental conditions.