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C2M0080120D

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Mouser N.º:

941-C2M0080120D

Fabricante N.º:

C2M0080120D

Fabricante:

Wolfspeed

Ciclo de vida:

Obsoleto

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

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Fabricante:

Wolfspeed

Fabricante N.º:

C4D20120A

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 20A

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Wolfspeed
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	31.6 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	98 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	71 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	208 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Wolfspeed
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	21 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	3.9 S
Empaquetado:	Tube
Producto:	Power MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	34 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo:	Silicon Carbide Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	23.2 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	12 ns
Peso de la unidad:	6 g