MT3S113TU,LF

Toshiba
757-MT3S113TULF
MT3S113TU,LF

Fabricante:

Descripción:
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF Bipolar Transistor .1A 900mW

Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

En existencias: 2.169

Existencias:
2.169 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
12 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$650 $650
$521 $5.210
$450 $45.000
$431 $215.500
$413 $413.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
$340 $1.020.000
$316 $1.896.000
$295 $2.655.000
$290 $6.960.000

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Toshiba
Categoría de producto: Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF)
RoHS:  
MT3S113TU
Bipolar
SiGe
NPN
11.2 GHz
200
5.3 V
600 mV
100 mA
+ 150 C
Single
SMD/SMT
UFM-3
Reel
Cut Tape
Marca: Toshiba
Corriente CC máxima de colector: 100 mA
Dp - Disipación de potencia : 900 mW
Tipo de producto: RF Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541210000
USHTS:
8541210075
ECCN:
EAR99