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F280037SPM

Name: Texas Instruments F280037SPM
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-F280037SPM
Price: 9251 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-F280037SPM

Fabricante N.º:

F280037SPM

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Microcontroladores de 32 bits - MCU C2000 32-bit MCU 12 0-MHz 256-KB flash

Hoja de datos:

F280037SPM Hoja de datos

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	$5.869	$1.467.250
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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Microcontroladores de 32 bits - MCU
RoHS:
Serie:	TMS320F280037
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	LQFP-64
Núcleo:	C28x
Tamaño de memoria del programa:	256 kB
Tamaño de RAM de datos:	69 kB
Ancho de bus de datos:	32 bit
Resolución del conversor de señal analógica a digital (ADC):	12 bit
Frecuencia de reloj máxima:	120 MHz
Número de entradas / salidas:	26 I/O
Voltaje de alimentación - Mín.:	2.8 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.63 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Marca:	Texas Instruments
Resolución del conversor de señal digital a analógica (DAC):	12 bit
Tipo de Ram de datos:	SRAM
Voltaje de entrada / salida:	3.3 V
Tipo de interfaz:	I2C, SPI, UART
Sensibles a la humedad:	Yes
Cantidad de canales del conversor de señal analógica a digital (ADC):	3 Channel
Cantidad de temporizadores/contadores:	3 Timers
Voltaje de alimentación operativo:	3.3 V
Producto:	MCUs
Tipo de producto:	32-bit Microcontrollers - MCU
Tipo de memoria de programa:	Flash
Cantidad de empaque de fábrica:	160
Subcategoría:	Microcontrollers - MCU
Nombre comercial:	C2000
Temporizadores de vigilancia:	Watchdog Timer

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CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8542310025
TARIC:: 8542319000
ECCN:: 5A992.C

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MCU en tiempo Real TMS320F28003x/TMS320F28003x-Q1

Los microcontroladores en tiempo Real TMS320F28003x/TMS320F28003x-Q1 de Texas Instruments forman parte de los microcontroladores en tiempo real ™ C2000. Los microcontroladores C2000 son dispositivos de latencia ultrabaja escalables y diseñados para eficiencia en dispositivos electrónicos de potencia, incluyendo alta densidad de potencia, altas frecuencias de conmutación y admitir el uso de tecnologías GaN y SIC.