STPSC20G12WL

STMicroelectronics
511-STPSC20G12WL
STPSC20G12WL

Fabricante:

Descripción:
Diodos Schottky de SiC 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode

Modelo ECAD:
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En existencias: 878

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Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$12.130 $12.130
$6.742 $67.420
$6.597 $659.700
$6.362 $3.817.200
$6.194 $7.432.800
25.200 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Diodos Schottky de SiC
RoHS:  
Through Hole
DO-247-2
Single
20 A
1.2 kV
1.35 V
180 A
10 uA
- 55 C
+ 175 C
Tube
Marca: STMicroelectronics
Tipo de producto: SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica: 600
Subcategoría: Diodes & Rectifiers
Peso de la unidad: 6 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

Standard Products

STMicroelectronics Standard Products are a broad range of industry-standard and drop-in replacements for the most popular general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs. The Standard Products are manufactured to the highest quality standards with many AECQ-qualified for automotive applications. A comprehensive set of STMicroelectronics design aids, including SPICE, IBIS models, and simulation tools, is available to make adding to a design-in easy.

STPSC20G12 Silicon Carbide Power Schottky Diodes

STMicroelectronics STPSC20G12 Silicon Carbide Power Schottky Diodes are available in a DO-247 package with long leads. The STMicroelectronics STPSC20G12 is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 1200V rating. Thanks to the Schottky construction, no recovery is shown during turn-off, and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.