STDRIVEG612Q

STMicroelectronics
511-STDRIVEG612Q
STDRIVEG612Q

Fabricante:

Descripción:
STMicroelectronics High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
Complete su diseño

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Lo nuevo de este fabricante.
Hoja de datos:
Más información
Conozca más sobre STMicroelectronics STDRIVEG612Q

Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
Mínimo: 4900   Múltiples: 4900
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$2.005 $9.824.500

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: STMicroelectronics
Marca: STMicroelectronics
Empaquetado: Tray
Cantidad de empaque de fábrica: 4900
Nombre comercial: STDRIVE
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

STDRIVEG612 600V Half-Bridge Gate Driver

STMicroelectronics STDRIVEG612 600V High-Speed Half-Bridge Gate Driver is optimized for 5V driving enhanced-mode GaN HEMTs. The high-side driver section is designed to support a voltage rail of up to 600V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. High-current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG612 optimized for driving high-speed GaN.

Se ha producido un error inesperado.


¿Tiene alguna pregunta? Visite el Centro de ayuda.
Si tiene preguntas sobre un pedido específico, inicie sesión en su cuenta.

Si tiene más problemas, comuníquese con nosotros al 800-346-6873 o envíe un correo electrónico a help@mouser.com.