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STDRIVEG600

Name: STMicroelectronics STDRIVEG600
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG600
Price: 5082 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STDRIVEG600

Fabricante N.º:

STDRIVEG600

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Controladores de puertas High voltage half-bridge gate driver for GaN transistors

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	$3.916	$39.160
	$3.589	$89.725
	$3.333	$333.300
	$2.904	$2.904.000
	$2.883	$5.766.000

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

STDRIVEG600TR

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$4.284

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Controladores de puertas
RoHS:
Producto:	Half-Bridge Drivers
Tipo:	High-Side, Low-Side
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-16
Número de controladores:	2 Driver
Número de salidas:	1 Output
Corriente de salida:	5.5 A, 6 A
Voltaje de alimentación - Mín.:	4.75 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	20 V
Tiempo de subida:	7 ns
Tiempo de caída:	5 ns
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Tipo lógico:	CMOS, TTL
Sensibles a la humedad:	Yes
Voltaje de salida:	520 V
Tipo de producto:	Gate Drivers
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	GaN

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Italia
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

STDRIVEG600/210/211 Half-Bridge Gate Drivers

STMicroelectronics STDRIVEG600 and STDRIVEG210/211 Half-Bridge Gate Drivers are single-chip half-bridge gate drivers for GaN (Gallium Nitride) eHEMTs (Enhancement-mode High-Electron-Mobility Transistors) or N-channel power MOSFETs. The high side of the STDRIVEG600 is designed to withstand voltages up to 600V and is suitable for designs with bus voltage up to 500V. These devices are ideal for driving high-speed GaN and silicon FETs due to high current capability, short propagation delay, and operation with a supply voltage down to 5V.