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SGT070R70HTO

Name: STMicroelectronics SGT070R70HTO
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT070R70HTO
Price: 8736 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-SGT070R70HTO

Fabricante N.º:

SGT070R70HTO

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor

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Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$8.736	$8.736
	$6.261	$62.610
	$5.466	$546.600
	$5.309	$2.654.500
	$5.208	$5.208.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1800)
	$5.074	$9.133.200
3.600	Presupuesto

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-LL-11
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	700 V
Id - Corriente de drenaje continua:	26 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	70 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 6 V, + 7 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	8.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	231 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Producto:	FET
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de subida:	9 ns
Serie:	SGT
Cantidad de empaque de fábrica:	1800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo:	PowerGaN Transistor
Tiempo de retardo de apagado típico:	7 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	10 ns
Peso de la unidad:	697 mg

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SGT070R70HTO E-Mode PowerGaN Transistor

STMicroelectronics SGT070R70HTO E-Mode PowerGaN Transistor is a high-performance enhancement-mode transistor designed for demanding power conversion applications. Built on Gallium Nitride (GaN) technology, the STMicro SGT070R70HTO offers superior switching performance with a low on-resistance of 70mΩ and minimal gate charge, enabling high efficiency and reduced losses in high-frequency operations. With a 700V drain-source voltage rating, the transistor is ideal for applications such as power supplies, motor drives, and renewable energy systems. The device features robust thermal performance and is housed in a compact TO-LL package, making it suitable for designs where space and heat management are critical. Fast switching capability and low input capacitance contribute to improved system efficiency and power density, positioning the SGT070R70HTO as a strong choice for next-generation power electronics.