Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

RF2L16180CB4

Name: STMicroelectronics RF2L16180CB4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-RF2L16180CB4
Price: 193189 CLP
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

511-RF2L16180CB4

Fabricante N.º:

RF2L16180CB4

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor

Complete su diseño

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

RF2L16180CB4 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre STMicroelectronics RF2L16180CB4

En existencias: 20

Existencias:: 20 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.

Las cantidades superiores a 20 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

Precio ext.:

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 120)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$193.189	$193.189
	$156.822	$1.568.220
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 120)
	$147.168	$17.660.160
480	Presupuesto

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:
Polaridad del transistor:	N-Channel
Tecnología:	Si
Id - Corriente de drenaje continua:	2.5 A
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	65 V
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1 Ohms
Frecuencia de trabajo:	1.6 GHz
Ganancia:	14 dB
Potencia de salida:	180 W
Temperatura de trabajo máxima:	+ 200 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	B4E-5
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Número de canales:	1 Channel
Tipo de producto:	RF MOSFET Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	120
Subcategoría:	MOSFETs
Tipo:	RF Power MOSFET
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	+ 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Peso de la unidad:	4 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

RF2L16180CB4 Hoja de datos (PDF)

EOL

Product Discontinuation Notification_2024_07_22 (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RFxL RF Power LDMOS Transistors

STMicroelectronics RFxL RF Power LDMOS Transistors offer high-performance intended for multiple applications with different frequency bands. The RFxL RF Power Transistors are available in B4E, B2, and LBB packages.