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FERD40H100SFP

Name: STMicroelectronics FERD40H100SFP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-FERD40H100SFP
Price: 941 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-FERD40H100SFP

Fabricante N.º:

FERD40H100SFP

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Rectificadores 100 V, 40 A Field-Effect Rectifier Diode (FERD)

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$941	$941
	$712	$7.120
	$681	$68.100
	$656	$328.000
	$631	$631.000
25.000	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Rectificadores
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220FPAB-3
Vr - Tensión inversa:	100 V
If - Corriente directa:	40 A
Tipo:	Standard Recovery Rectifier
Configuración:	Single
Vf - Tensión directa:	645 mV
Sobrecorriente máx.:	440 A
Ir - Corriente inversa:	190 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 65 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	FERD40H100S
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Producto:	Rectifiers
Tipo de producto:	Rectifiers
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Peso de la unidad:	2 g

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PCN

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Standard Products

STMicroelectronics Standard Products are a broad range of industry-standard and drop-in replacements for the most popular general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs. The Standard Products are manufactured to the highest quality standards with many AECQ-qualified for automotive applications. A comprehensive set of STMicroelectronics design aids, including SPICE, IBIS models, and simulation tools, is available to make adding to a design-in easy.

FERD Field Effect Rectifiers

STMicroelectronics Field-Effect Rectifier Diodes (FERDs) help improve applications with designs focusing on trade-off upgrades. The design of the FERDs has allowed both a decrease in the voltage drop and a decrease in the leakage current temperature coefficient. As a result, the runaway safety margin is improved and maybe beyond the typical safety margin of Schottky barrier diodes. Depending on the targeted application and its voltage, developers can now choose the best compromise in terms of forward voltage drop (VF) and leakage current (IR).