2SD2012

STMicroelectronics
511-2SD2012
2SD2012

Fabricante:

Descripción:
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Silcon Pwr Trans
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Ciclo de vida:
Obsoleto
Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
Restricciones de envío:
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RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220F-3
NPN
Single
3 A
60 V
60 V
7 V
400 mV
25 W
3 MHz
- 65 C
+ 150 C
2SD2012
Tube
Marca: STMicroelectronics
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Colector DC/Ganancia Base hfe Mínima: 20
Máx. ganancia de CC hFE: 320
Tipo de producto: BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Peso de la unidad: 3,610 g
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

EOL

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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