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TP70H300G4JSGB-TR

Name: Renesas Electronics TP70H300G4JSGB-TR
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP70H300G4JSGBTR
Price: 4267 CLP
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

227-TP70H300G4JSGBTR

Fabricante N.º:

TP70H300G4JSGB-TR

Fabricante:

Renesas Electronics

Descripción:

GaN FETs 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN

Hoja de datos:

TP70H300G4JSGB-TR Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$4.267	$21.335.000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	700 V
Nombre comercial:	SuperGaN
Marca:	Renesas Electronics
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Producto:	FETs
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	Gen IV SuperGaN
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN

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USHTS:: 8541497040
ECCN:: EAR99

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.