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MSCSM120HM063CAG

Name: Microchip MSCSM120HM063CAG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSCSM120HM063CAG
Price: 882437 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

579-MSCSM120HM063CAG

Fabricante N.º:

MSCSM120HM063CAG

Fabricante:

Microchip Technology

Descripción:

Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C

Hoja de datos:

MSCSM120HM063CAG Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Módulos de semiconductores discretos
RoHS:
Producto:	MOSFET-SiC SBD Modules
Tipo:	Full Bridge
Tecnología:	SiC
Vf - Tensión directa:	1.5 V
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 25 V
Estilo de montaje:	Screw Mount
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Marca:	Microchip Technology
Tipo de producto:	Discrete Semiconductor Modules
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Discrete Semiconductor Modules

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CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

AgileSwitch® Phase Leg SiC MOSFET Power Modules

Microsemi / Microchip AgileSwitch® Phase Leg SiC (Silicon Carbide) MOSFET Power Modules are built with SiC MOSFETs and SiC Diodes and combine the advantages of both devices. These power modules feature an extremely low inductance SP6LI package with a maximum stray inductance of 3nH. These SP6LI power modules are offered in 1200V and 1700V variants with a case temperature (T_c) of +80°C. Offering higher power density and a compact form factor, the SP6LI package enables a lower quantity of modules in parallel to achieve complete systems, helping designers to downsize their equipment further.