MSCSM120AM11CT3AG

Microchip Technology
494-120AM11CT3AG
MSCSM120AM11CT3AG

Fabricante:

Descripción:
Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$317.699 $317.699

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Microchip
Categoría de producto: Módulos de semiconductores discretos
RoHS:  
MOSFET-SiC SBD Modules
MOSFET / SiC SBD
SiC
1.5 V
1.2 kV
- 10 V, + 25 V
Screw Mount
SP3F
- 40 C
+ 125 C
Bulk
Marca: Microchip Technology
Tiempo de caída: 25 ns
Id - Corriente de drenaje continua: 254 A
Dp - Disipación de potencia : 1.067 kW
Tipo de producto: Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 10.4 mOhms
Tiempo de subida: 30 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 1
Subcategoría: Discrete Semiconductor Modules
Polaridad del transistor: N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 50 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 30 ns
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 1.2 kV
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.8 V
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Atributos seleccionados: 0

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ECCN:
EAR99