Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

MSC40SM120JCU3

Name: Microchip MSC40SM120JCU3
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC40SM120JCU3
Price: 43142 CLP
Availability: OutOfStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

494-MSC40SM120JCU3

Fabricante N.º:

MSC40SM120JCU3

Fabricante:

Microchip Technology

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Existencias:: 0

Aún puede comprar este producto que se encuentra pendiente.

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
En pedido:: 18

Se espera el 30-03-2026
Plazo de entrega de fábrica:: 19

Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

Precio ext.:

Est. Tarifa:

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$43.142	$43.142

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Módulos de semiconductores discretos
RoHS:
Producto:	MOSFET-SiC SBD Modules
Tipo:	MOSFET / SiC SBD
Tecnología:	SiC
Vf - Tensión directa:	1.5 V
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 25 V
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	SOT-227
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Bulk
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	25 ns
Id - Corriente de drenaje continua:	55 A
Dp - Disipación de potencia :	245 W
Tipo de producto:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	50 mOhms
Tiempo de subida:	30 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Discrete Semiconductor Modules
Polaridad del transistor:	N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	50 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	30 ns
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.8 V