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MSC080SMB120B4N

Name: Microchip MSC080SMB120B4N
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC080SMB120B4N
Price: 6184 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

579-MSC080SMB120B4N

Fabricante N.º:

MSC080SMB120B4N

Fabricante:

Microchip Technology

Descripción:

MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4 Notch

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

MSC080SMB120B4N Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	30 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	107 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 21 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5 V
Qg - Carga de puerta:	34 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	161 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	8 ns
Empaquetado:	Tube
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	8 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	17 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns

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ECCN:: EAR99

1200V SIC MOSFETs

Microchip Technology 1200V SIC MOSFETs offer high efficiency in a lighter, more compact solution. The devices supply low internal gate resistance (ESR), resulting in a fast switching speed. The MOSFETs are simple to drive and easy to parallel, with improved thermal capabilities and lower switching losses.