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AT28C256-15SU

Name: Microchip AT28C256-15SU
Brand: Microchip Technology
SKU: 556-AT28C25615SU
Price: 14202 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

556-AT28C25615SU

Fabricante N.º:

AT28C256-15SU

Fabricante:

Microchip Technology

Descripción:

EEPROM 256K 11MIL GRIND 150NS IND TEMP

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	EEPROM
RoHS:
Tamaño de memoria:	256 kbit
Tipo de interfaz:	Parallel
Frecuencia de reloj máxima:	5 MHz
Organización:	32 k x 8
Paquete / Cubierta:	SOIC-28
Tiempo de acceso:	150 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	4.5 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	5.5 V
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Retención de datos:	10 Year
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	AT28C256
Empaquetado:	Tube
Corriente de lectura activa - máx.:	50 mA
Marca:	Microchip Technology
Sensibles a la humedad:	Yes
Corriente de suministro operativa:	50 mA
Voltaje de alimentación operativo:	5 V
Tiempo de acceso de activación de salida:	70 ns
Tipo de producto:	EEPROM
Cantidad de empaque de fábrica:	27
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.:	50 mA
Peso de la unidad:	1,806 g

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CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542320040
USHTS:: 8542320051
JPHTS:: 8542320393
KRHTS:: 8542321090
TARIC:: 8542327500
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

AT28C256 256K EEPROM Memory

Microchip AT28C256 256K EEPROM Memory devices are high-performance, Electrically Erasable, and Programmable Read-only Memory (EEPROM). The EEPROM 256K of memory is organized as 32,768 words by 8-bits. These devices are manufactured with Atmel's advanced non-volatile CMOS technology, offering 150ns access time with 440mW power dissipation. The AT28C256 memory devices are accessed like static RAM for reading or writing cycles without needing external components. These AT28C256 devices contain a 64-byte page register to allow writing up to 64 bytes. The EEPROM devices utilize an internal error correction for extended endurance and improved data retention.