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PXAE263708NB-V1-R2

Name: MACOM PXAE263708NB-V1-R2
Brand: MACOM
SKU: 941-PXAE263708NBV1R2
Price: 116177 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

941-PXAE263708NBV1R2

Fabricante N.º:

PXAE263708NB-V1-R2

Fabricante:

MACOM

Descripción:

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz

Hoja de datos:

PXAE263708NB-V1-R2 Hoja de datos (PDF)

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Cinta cortada

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Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$116.177	$116.177
	$96.640	$966.400
	$88.024	$8.802.400
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
	$88.024	$22.006.000
500	Presupuesto

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:
Polaridad del transistor:	N-Channel
Tecnología:	Si
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	65 V
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	80 mOhms
Frecuencia de trabajo:	2.62 GHz to 2.69 GHz
Ganancia:	13.5 dB
Potencia de salida:	400 W
Temperatura de trabajo máxima:	+ 225 C
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	HB2SOF-8-1
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	MACOM
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Número de canales:	1 Channel
Tipo de producto:	RF MOSFET Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	250
Subcategoría:	MOSFETs
Tipo:	RF Power MOSFET
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 6 V to + 10 V

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

FET LDMOS y JFET de RF 5G

Los transistores de efecto de campo de unión (JFET) y los FET de semiconductores de óxido metálico de difusión lateral (LDMOS) de RF 5G de MACOM son transistores de alta potencia mejorados térmicamente para la próxima generación de transmisión inalámbrica. Estos dispositivos cuentan con tecnología de transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) GaN en SiC, sincronización de entrada, alta eficiencia y un paquete de montaje en superficie mejorado térmicamente con una brida sin orejas. Los JFET y FET LDMOS de RF 5G de MACOM son ideales para aplicaciones de amplificadores de potencia celular multiestándar.