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GTRA362002FC-V1-R2

Name: MACOM GTRA362002FC-V1-R2
Brand: MACOM
SKU: 941-GTRA362002FCV1R2
Price: 161434 CLP
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

941-GTRA362002FCV1R2

Fabricante N.º:

GTRA362002FC-V1-R2

Fabricante:

MACOM

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Modelo ECAD:

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N.º de artículo del Fabricante:

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$208.927

Mín.:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	GaN FETs
Restricciones de envío:	Este producto puede necesitar documentación adicional para ser exportado desde los Estados Unidos.
RoHS:
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	H-37248C-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	125 V
Id - Corriente de drenaje continua:	4.1 A
Temperatura de trabajo máxima:	+ 225 C
Marca:	MACOM
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Ganancia:	13.5 dB
Frecuencia de trabajo máxima:	3.6 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	3.4 GHz
Potencia de salida:	200 W
Empaquetado:	Reel
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	250
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	GaN HEMT
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente:	- 10 V to 2 V