IPP65R090CFD7XKSA1
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726-P65R090CFD7XKSA1
IPP65R090CFD7XKSA1
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Ciclo de vida:
NRND:
No recomendado para nuevos diseños.
Hoja de datos:
Hoja de datos
Product Catalogs
Códigos de cumplimiento
- CNHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- ECCN:
- EAR99
Clasificaciones de origen
- País de origen:
- China
- País de origen del ensamblaje:
- China
- País de difusión:
- Alemania
En existencias: 774
-
Existencias:
-
774 Se puede enviar inmediatamenteSe ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
19 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (CLP)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $7.067 | $7.067 | |
| $3.755 | $37.550 | |
| $3.429 | $342.900 | |
| $3.018 | $1.509.000 |