IPP65R090CFD7XKSA1

Name: Infineon IPP65R090CFD7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-P65R090CFD7XKSA1
Price: 6401 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-P65R090CFD7XKSA1

Fabricante N.º:

IPP65R090CFD7XKSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

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NRND:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	700 V
Id - Corriente de drenaje continua:	25 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	90 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	53 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	127 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	DE
País de origen:	CN
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	500
Subcategoría:	Transistors
Alias de las piezas n.º:	IPP65R090CFD7 SP005413363