IXSH100N65L2KHV

IXYS
747-IXSH100N65L2KHV
IXSH100N65L2KHV

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
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En existencias: 550

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$12.690 $12.690
$9.744 $97.440
$7.090 $709.000
$7.078 $3.185.100
$5.902 $5.311.800

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4L
N-Channel
1 Channel
650 V
99 A
33 mOhms
- 5 V, + 20 V
4.5 V
125 nC
- 55 C
+ 175 C
454 W
Enhancement
Marca: IXYS
Configuración: Single
Tiempo de caída: 11.7 ns
Empaquetado: Tube
Producto: MOSFETs
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de subida: 26.5 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 450
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 23.2 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 12.9 ns
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs have high blocking voltage with low on-state resistance [RDS(ON)]. The on-state resistance is between 25mΩ and 160mΩ, and the continuous drain current (ID) is between 20A and 111A. These devices offer high-speed switching with low capacitance and have an ultra-fast intrinsic body diode. These are available with a 650V or 1200V drain-source voltage (VDSS) rating. The IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are offered in three packages (TO-263-7L, TOLL-8, and TO-247-4L).