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GS8342Q18BD-250

Name: GSI Technology GS8342Q18BD-250
Brand: GSI Technology
SKU: 464-GS8342Q18BD-250
Price: 46026 CLP
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

464-GS8342Q18BD-250

Fabricante N.º:

GS8342Q18BD-250

Fabricante:

GSI Technology

Descripción:

Tamaño de memoria RAM (SRAM) 1.8 or 1.5V 2M x 18 36M

Hoja de datos:

GS8342Q18BD-250 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$41.171	$1.235.130
	$40.147	$2.408.820
	$39.142	$4.109.910
	$38.118	$9.720.090
510	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	GSI Technology
Categoría de producto:	Tamaño de memoria RAM (SRAM)
RoHS:	N
Tamaño de memoria:	36 Mbit
Organización:	2 M x 18
Frecuencia de reloj máxima:	250 MHz
Tipo de interfaz:	Parallel
Voltaje de alimentación - Máx.:	1.9 V
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.7 V
Corriente de suministro - Máx.:	665 mA
Temperatura de trabajo mínima:	0 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 70 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	BGA-165
Empaquetado:	Tray
Marca:	GSI Technology
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	Not Available
Tipo de memoria:	DDR
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	SRAM
Serie:	GS8342Q18BD
Cantidad de empaque de fábrica:	15
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Nombre comercial:	SigmaQuad-II
Tipo:	SigmaQuad-II

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CAHTS:: 8542320041
USHTS:: 8542320041
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KRHTS:: 8542321020
TARIC:: 8542324500
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ECCN:: 3A991.b.2.b

SigmaQuad-II SRAMs

GSI Technology SigmaQuad-II SRAMs feature built-in compliance with the SigmaQuad-II SRAM pinout standard for Separate I/O synchronous SRAMs. The SigmaQuad-II are 301,989,888-bit (288Mb) SRAMs. The GS82582D18/36GE SigmaQuad SRAMs are just one element in a family of low power, low voltage HSTL I/O SRAMs designed to operate at the speeds needed to implement economical high performance networking systems.

Quad SRAMs

GSI Technology Quad SRAMs combine capacity and performance with the ability to transfer four beats of data (two beats per data bus) in a single clock cycle. SigmaQuad SRAMs are synchronous memories with separate read and write data buses with unequaled transaction rates by competitors.