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CE3514M4

Name: CEL CE3514M4
Brand: CEL
SKU: 551-CE3514M4
Price: 3102 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

551-CE3514M4

Fabricante N.º:

CE3514M4

Fabricante:

CEL

Descripción:

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C

Hoja de datos:

CE3514M4 Hoja de datos (PDF)

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	$3.102	$3.102
	$2.005	$20.050
	$1.077	$107.700
	$945	$472.500
	$909	$9.090.000
25.000	Presupuesto

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

CE3514M4-C2

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$1.445

Mín.:

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CEL

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Descripción:

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	CEL
Categoría de producto:	Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:
Tipo de transistor:	pHEMT
Tecnología:	GaAs
Frecuencia de trabajo:	12 GHz
Ganancia:	12.2 dB
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	4 V
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente:	- 3 V
Id - Corriente de drenaje continua:	10 mA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Dp - Disipación de potencia :	125 mW
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	minimold-4
Empaquetado:	Bulk
Marca:	CEL
Configuración:	Single
Transconductancia hacia delante - Mín.:	54 mS
Voltaje de corte puerta-fuente:	- 750 mV
NF - Figura de ruido:	0.42 dB
Tipo de producto:	RF JFET Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	4,528 mg

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Hoja de datos

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Low Noise FETs & ICs

CEL Low Noise FETs and ICs exhibit low noise figures and high associated gains, delivering exceptional noise figure performance at frequencies past 20GHz. These products are available in both ceramic and plastic packages that uphold the renowned Japanese manufacturing quality and reliability. The low-noise FETs and amplifier ICs offer better RF performance than other pHEMTs. Target markets for the devices include Digital Broadcast Systems (DBS), Low Noise Block (LNB) downconverters, and Very Small Aperture Terminal Satellite (VSAT) communication systems. Other typical applications include microwave communication systems, motion detectors, traffic monitoring, collision avoidance, and presence detections.