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BIDD05N60T

Name: Bourns BIDD05N60T
Brand: Bourns
SKU: 652-BIDD05N60T
Price: 2352 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

652-BIDD05N60T

Fabricante N.º:

BIDD05N60T

Fabricante:

Bourns

Descripción:

IGBTs IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252

Hoja de datos:

BIDD05N60T Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$2.352	$2.352
	$1.512	$15.120
	$655	$65.500
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$629	$1.572.500
25.000	Presupuesto

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Bourns
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	TO-252-3
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	600 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.5 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 30 V, 30 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	10 A
Dp - Disipación de potencia :	82 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Serie:	BID
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Bourns
Máx. corriente continua Ic del colector:	10 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	400 nA
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	IGBTs

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Model BID Insulated Gate Bipolar Transistors

Bourns Model BID Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine technology from a MOSFET gate and a bipolar transistor and are designed for high voltage/high current applications. The Model BID IGBTs use advanced Trench-Gate Field-Stop technology to provide greater control of the dynamic characteristics, resulting in a lower Collector-Emitter Saturation Voltage and fewer switching losses. The IGBTs feature a -55°C to +150°C operating temperature range and are available in TO-252, TO-247, and TO-247N packages. These thermally efficient components provide a lower thermal resistance making them suitable IGBT solutions for Switch-Mode Power Supplies (SMPS), Uninterruptible Power Sources (UPS), and Power Factor Correction (PFC) applications.