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AS4C128M32MD2A-18BIN

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Mouser N.º:

913-4C12832MD2A18BIN

Fabricante N.º:

AS4C128M32MD2A-18BIN

Fabricante:

Alliance Memory

Descripción:

DRAM LPDDR2, 4G,128M X 32, 1.2V, 134 BALL BGA, 533 MHZ, Industrial TEMP - Tray

Ciclo de vida:

Obsoleto

Hoja de datos:

AS4C128M32MD2A-18BIN Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Alliance Memory
Categoría de producto:	DRAM
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Tipo:	SDRAM Mobile - LPDDR2
Tamaño de memoria:	4 Gbit
Ancho de bus de datos:	32 bit
Frecuencia de reloj máxima:	533 MHz
Paquete / Cubierta:	FBGA-134
Organización:	128 M x 32
Tiempo de acceso:	18 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.14 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	1.95 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	AS4C128M32MD2A-18
Empaquetado:	Tray
Marca:	Alliance Memory
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	171
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.:	130 mA
Peso de la unidad:	36,420 g

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Hoja de datos

AS4C128M32MD2A-18BIN Hoja de datos (PDF)

REACH Declaration (PDF)

CNHTS:: 8542329000
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

DDR2 SDRAM

Alliance Memory DDR2 SDRAM is designed to comply with DDR2 SDRAM key features. Features such as posted CAS# with additive latency, Write latency=Read latency -1, and On-Die Termination (ODT). All of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with a pair of bidirectional strobes (DQS and DQS#) in a source synchronous fashion. The address bus is used to convey row, column, and bank address information in RAS #, CAS# multiplexing style.