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FF900R12ME7PB11BPSA1

Name: Infineon FF900R12ME7PB11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FF900R12ME7PB11B
Price: 291782 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-FF900R12ME7PB11B

Fabricante N.º:

FF900R12ME7PB11BPSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Módulos IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module

Hoja de datos:

FF900R12ME7PB11BPSA1 Hoja de datos (PDF)

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	$291.782	$291.782
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102	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Módulos IGBT
Producto:	IGBT Silicon Modules
Configuración:	Dual
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.5 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	900 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	100 nA
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tray
Marca:	Infineon Technologies
Tipo de producto:	IGBT Modules
Serie:	Trenchstop IGBT7
Cantidad de empaque de fábrica:	6
Subcategoría:	IGBTs
Tecnología:	Si
Nombre comercial:	TRENCHSTOP ~ EconoDUAL
Alias de las piezas n.º:	FF900R12ME7P_B11 SP005349909

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Product Catalogs

CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

TRENCHSTOP™ IGBT7 Discretes & Modules

Infineon Technologies TRENCHSTOP™ IGBT7 Discretes and Modules are designed for variable-speed drives. If only half of all industrial drives had electric speed control, 20% of energy or 17 million tons of CO2 could be saved. Infineon facilitates this switch with the TRENCHSTOP IGBT7 technology.

Módulo IGBT EasyPIM™

El módulo IGBT EasyPIM™ de Infineon Technologies es un módulo IGBT PIM con rectificador de entrada trifásica con TRENCHSTOP™ IGBT7, 7 diodos controlados por emisor y tecnología NTC/PressFIT. Este módulo tiene una mayor capacidad de control de dv/dt, una mejor suavidad del diodo de libre circulación (FWD), pérdidas de conmutación optimizadas y solidez de circuito corto de 8 µs. El EasyPIM (módulo integrado de potencia) es muy compacto, lo que permite lograr una densidad de más alta potencia. Este módulo reduce el costo del sistema y las pérdidas para cumplir con los requisitos de eficiencia energética. Las aplicaciones típicas incluyen inversores auxiliares, aire acondicionado, servomotor y calefacción, ventilación y aire acondicionado (HVAC).

1200V Dual IGBT Modules

Infineon 1200V, Dual IGBT Modules, are EconoDUAL™ 3 1200V, 900A dual TRENCHSTOP™ IGBT7 Modules with emitter-controlled 7 diodes, NTC, and PressFIT contact technology. The IGBT Modules offer a higher inverter output current for the same frame size and avoidance of paralleling. The Infineon 1200V, Dual IGBT Modules, provide an easy and reliable assembly with high inter-connection reliability.

EconoDUAL™ 3 IGBT Modules

Infineon Technologies EconoDUAL™ 3 IGBT Modules are a solution for many applications requiring reliable, cost-effective power electronics. The Infineon Technologies EconoDUAL 3 can support currents ranging from 100A to 900A at various voltages, including 600V, 650V, 1200V, and 1700V. The device is equipped with state-of-the-art IGBT7 or IGBT4 technologies. The modules offer exceptional power density and cycling capability, and the symmetrical design allows for optimized current sharing between IGBT half bridges. This feature makes them ideal for parallel operation. EconoDUAL 3 is a versatile and efficient option for electric vehicles, renewable energy, or general-purpose drives.

IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules

Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules are based on micro-pattern trench technology that reduces losses and offers high controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas in contrast to square trench cells. A specially optimized chip for industrial drive applications and solar energy systems provides low static losses, high power density, and soft switching. With a +175°C maximum operating temperature, the modules allow a significant increase in power density.